Хоча алюміній пропонує багато переваг у виробництві напівпровідників, він стикається з низкою проблем, оскільки розміри мікросхем продовжують зменшуватися:
Підвищений опір: зі зменшенням ширини металевого дроту алюміній стає більш резистивним, що призводить до нижчої швидкості передачі сигналу, особливо у високочастотних ланцюгах, де алюміній може не працювати належним чином.
Ефекти електроміграції: алюміній чутливий до електроміграції, тобто міграції атомів металу у відповідь на електричний струм за умов високої щільності струму, що призводить до розриву дроту або короткого замикання.
Заміна матеріалів з низьким рівнем k міддю: для вирішення цих проблем у багатьох сучасних інтегральних схемах використовується мідь як металевий з’єднувальний матеріал, оскільки мідь має менший питомий опір і кращі властивості електроміграції, ніж алюміній. Крім того, діелектричні матеріали з низьким коефіцієнтом k широко використовуються для зменшення ємнісних ефектів і підвищення швидкості передачі сигналів.
Тим не менш, алюміній все ще широко використовується в багатьох зрілих процесах, особливо в деяких малопотужних, низькочастотних або більш зрілих вузлах процесу, де він все ще є ідеальним вибором.